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Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
Autor: Hilleringmann, Ulrich
ISBN: 9783658423773
Auflage: 8
Sprache: Deutsch
Seitenzahl: 309
Produktart: Kartoniert / Broschiert
Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH
Veröffentlicht: 27.10.2023
Untertitel: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Schlagworte: Bipolar-Technologie Bipolarschaltung CMOS Chip Dotierung Elektronik Halbleitertechnik Lithografie Oxidation Silizium
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.